Walter Houser Brattain era un fisico americano che ricevette congiuntamente il "Premio Nobel per la fisica" nel 1956 con i colleghi scienziati John Bardeen e William Shockley per la loro storica invenzione del transistor. Mentre Brattain e Bardeen sono stati riconosciuti per la loro invenzione del transistor punto-contatto, Shockley è stato accreditato per aver inventato il transistor di giunzione. Brattain ha dedicato gran parte della sua carriera di ricerca nello studio degli stati superficiali, in particolare la composizione atomica della superficie di un materiale che generalmente differisce dalla composizione atomica del suo interno. Insieme a Bardeen ha lavorato a un progetto presso i "Bell Laboratories" per comprendere meglio i semiconduttori in modo da poterli applicare correttamente nell'amplificazione dei segnali. Le indagini del duo portarono alla scoperta rivoluzionaria del primo transistor nel 1947. Condividevano il merito con William Shockley, il loro supervisore che quasi immediatamente inventò il transistor di giunzione. In pochissimo tempo il transistor è diventato un sostituto di ingombranti e costosi tubi a vuoto che hanno portato alla sua diffusa applicazione nei dispositivi elettronici. Questa invenzione rivoluzionaria ha aperto la strada a una rivoluzione virtuale attraverso altri sviluppi nel campo dell'elettronica come fax, computer, satelliti e telefoni cellulari. Brattain ha lavorato come docente in visita presso la "Harvard University" e al "Whitman College" e dopo il pensionamento dai "Bell Laboratories" è stato professore a contratto presso il "Whitman College". Ha anche ricevuto congiuntamente la "Stuart Ballantine Medal" (1952) e la "John Scott Medal" (1954) con Bardeen.
Infanzia e prima infanzia
Walter H. Brattain è nato il 10 febbraio 1902 a Xiamen, Fujian, in Cina, da Ross R. Brattain e Ottilie Houser Brattain. Suo padre era insegnante al "Ting-Wen Institute" in Cina, mentre sua madre era un matematico di talento. Sua sorella era Mari Brattain e suo fratello R. Robert Brattain che divenne un fisico.
Nel 1903, quando era ancora un bambino, tornò negli Stati Uniti con sua madre, mentre suo padre si unì a loro in seguito.
Ha trascorso diversi anni della sua infanzia a Spokane, Washington. Nel 1911 si trasferì con la sua famiglia in un ranch vicino a Tonasket, Washington. Frequentò tre scuole superiori a Washington: prima la "Queen Anne High School" a Seattle (1915-16), poi la "Tonasket High School" a Tonasket (1916-18) e successivamente la "Moran School" a Bainbridge Island (1920 ).
Si unì al "Whitman College" di Walla Walla, Washington, dove si erano diplomati i suoi genitori. Nel 1924 si laureò con una doppia specializzazione in matematica e fisica. Lui e i suoi compagni di classe E. John Workman, Vladimir Rojansky e Walker Bleakney, che hanno raggiunto grandi risultati nelle rispettive carriere, sono diventati famosi come "i quattro cavalieri della fisica".
Nel 1926 si laureò all'Università dell'Oregon a Eugene.
Nel 1929 ha completato il suo dottorato di ricerca. dell '"Università del Minnesota" presentando una tesi su "Efficienza dell'eccitazione per impatto elettronico e dispersione anomala nel vapore di mercurio", preparata sotto la supervisione del noto fisico americano John Torrence Tate, Sr.
Ha appreso il nuovo campo della meccanica quantistica sotto il noto fisico e matematico americano John Hasbrouck Van Vleck nel Michigan.
carriera
Nel 1927 entrò a far parte del "National Bureau of Standards" a Washington, DC, come ingegnere radiofonico e aiutò a sviluppare standard di frequenza piezoelettrici.
È entrato a far parte della società di ricerca e sviluppo scientifico "Bell Telephone Laboratories" (attualmente "Nokia Bell Labs") come fisico di ricerca nell'agosto 1929 e ha iniziato a lavorare con Joseph A. Becker sul flusso indotto termicamente di portatori di carica nei raddrizzatori a ossido di rame. Alcuni dei loro esperimenti sull'emissione termica soddisfacevano la conferma sperimentale della teoria di Sommerfeld, sviluppata principalmente dal fisico teorico tedesco Arnold Sommerfeld.
Brattain ha esaminato la rettifica e gli effetti fotografici sulle superfici a semiconduttore di silicio e ossido rameoso e ha inventato l'effetto fotografico sulla superficie libera di un semiconduttore.
Durante quel periodo i tubi a vuoto avevano una diffusa applicazione nel settore della telefonia anche se questi mancavano di efficienza e affidabilità. Così i "Bell Laboratories" hanno fatto uno sforzo per sviluppare una tecnologia alternativa.
All'inizio degli anni '30 Brattain e William B. Shockley tentarono di sviluppare un transistor ad effetto di campo presso i "Bell Laboratories", lavorando sul concetto di un amplificatore a semiconduttore che applicava ossido di rame, ma rimase senza successo.
Durante la seconda guerra mondiale, Brattain e Shockley furono associati al "National Defence Research Committee" e ricercarono separatamente la rilevazione magnetica dei sottomarini presso la "Columbia University". Il team di Brattain è riuscito a sviluppare magnetometri abbastanza sensibili da scoprire irregolarità nel campo magnetico terrestre causate da sottomarini. Questo lavoro lo portò a brevettare un progetto per una testa del magnetometro nel 1944.
I "Bell Laboratories" formarono un team di ricercatori nel 1945 per condurre ricerche fondamentali nel campo della fisica dello stato solido per quanto riguarda le tecnologie di comunicazione. Il fisico e ingegnere elettrico americano John Bardeen si unì alla squadra guidata congiuntamente da Shockley e Stanley O. Morgan. Brattain conosce Bardeen dagli anni '30 come amico intimo di suo fratello Robert.
Shockley assegnò a Brattain e Bardeen il compito di accertare dal funzionamento il motivo che stava dissuadendo il suo transistor ad effetto di campo, un cilindro con un sottile rivestimento di silicio e alloggiato vicino a una piastra di metallo. Il duo condusse diversi esperimenti in questa ricerca e in seguito Bardeen concettualizzò che la possibile ragione di tale non funzionamento potrebbe essere la differenza locale nello stato superficiale che ha intrappolato i portatori di carica.
Brattain e Bardeen prosperarono nello sviluppo dell'amplificazione, sebbene di piccolo livello, includendo un punto di metallo dorato nel silicio e racchiudendolo in acqua distillata. Sostituendo il germanio al posto del silicio sono riusciti a migliorare l'amplificazione, sebbene con correnti a bassa frequenza.
Shockley, Brattain e Bardeen mostrarono finalmente il loro primo transistor funzionante ai loro compagni scienziati a Bell il 23 dicembre 1947.
Successivamente Brattain ha lavorato con un altro gruppo di ricerca del laboratorio che includeva scienziati come P. J. Boddy e C. G. B. Garrett.
Successivamente, insieme a P. N. Sawyer e Boddy, ha collaborato a numerosi articoli relativi ai metodi elettrochimici nella materia vivente. Ha anche studiato la superficie delle cellule viventi e le loro procedure di assorbimento applicando come modello un doppio strato di fosfolipidi, insieme a David Frasco, professore di chimica del "Whitman College".
Nel 1952 rimase professore ospite presso l'Università di Harvard.
Gli fu conferito l'onorevole D. Sc da "Portland University" (1952), "Union College" (1955), "Whitman College" (1955) e "University of Minnesota" (1957).
È stato professore ospite presso il "Whitman College" nel 1962 e nel 1963 e divenne professore ospite nel 1963.
Nel 1967 si ritirò da "Bell Laboratories", mentre continuava a lavorare come insegnante al "Whitman College" dove divenne professore a contratto nel 1972. Nel 1976 si ritirò dal college, ma continuò a servire come consulente.
Brattain era membro di molti rinomati istituti e comitati tra cui "National Academy of Sciences", "American Academy of Arts and Sciences", "Naval Research Advisory Committee" e "Franklin Institute".
Premi e risultati
Nel 1956 gli fu conferito congiuntamente il "Premio Nobel per la fisica" con John Bardeen e William Shockley dal re di Svezia Gustavo VI Adolfo.
Vita personale e eredità
Sposò Keren Gilmore, un chimico, nel 1935. Il loro figlio, William G. Brattain, nacque nel 1943. William divenne un disegnatore di puzzle.
Dopo che Keren morì di cancro il 10 aprile 1957, Brattain sposò Emma Jane (Kirsch) Miller, una madre di tre figli, nel 1958.
Soffriva di Alzheimer e morì in una casa di cura a Seattle, Washington, il 13 ottobre 1987. Fu sepolto nel cimitero di Pomeroy City nella Contea di Garfield, Washington, USA. Un circuito a forma di Y e schemi che simboleggiano il transistor sono incisi sulla sua lapide.
banalità
Il programma di borse di studio Walter Brattain è stato avviato dal "Whitman College" in suo onore.
Fatti veloci
Compleanno 10 febbraio 1902
Nazionalità Americano
Famoso: fisici uomini americani
Deceduto all'età di 85 anni
Segno solare: Acquario
Conosciuto anche come: Walter H. Brattain
Nato a: Xiamen, Fujian, Cina
Famoso come Fisico
Famiglia: Coniuge / Ex-: Emma Jane (Kirsch) Miller, Keren Gilmore padre: Ross R. Brattain madre: Ottilie Houser Brattain fratelli: Mari Brattain, R. Robert Brattain figli: William G. Brattain Deceduto il: 13 ottobre 1987 della morte: Seattle, Washington, Stati Uniti. Ulteriori informazioni: Whitman College, University of Oregon, University of Minnesota premi: Stuart Ballantine Medal (1952) Premio Nobel per la fisica (1956)
